自从1971年Kurbatov等人首 次制得半导体超辐射发光器件以来，宽带超辐射发光二极管的研究和制作都得到了迅速发展。人们围绕着提高输出功率和耦合效率、增加光谱宽度、降低相干长度、提高调制频率、降低光谱调制深度等问题，,对超辐射发光器件开展了普遍的研究工作。1973年，美国贝尔实验室的T.P.Lee等人首 次成功制作了双异质结SLD器件m,从此之后，重庆Superlum 宽带超辐射发光光源现货，各国科学家相继投入到SLD的研究行列中来。进入20世纪80年代以来，重庆Superlum 宽带超辐射发光光源现货，重庆Superlum 宽带超辐射发光光源现货，随着分子束外延(MBE)和金属有机化学气相沉积(MOCVD)等晶体外延技术迅速发展，量子阱激光器应运而生。Superlum 公司是业内***的超辐射发光二极管和模块的生产商。重庆Superlum 宽带超辐射发光光源现货

室温下Superlum 宽带超辐射发光二极管的增益带宽积大约为100nm。考虑当增益峰值能够达到10000的数量级、并且增益<10时就应该足够产生激光,那么可认为在100nm的调制范围内能够获得可调的ECL。这样的可调激光器使得用单个芯片在调谐范围内获得任意***波长的激光成为可能，还开启了波分复用(WDM)通信系统中DFB激光器实现灵活传输甚至获得低费用替代品的可能。Superlum 超辐射发光二极管干涉测量的应用：这方面较普遍的应用是IFOG(千涉光纤光学陀螺)。采用SLD作为IFOG的光源。重庆Superlum 宽带超辐射发光光源现货如果保持Superlum 宽带超辐射发光二极管内部器件的温度不升高，电流增大就能使SLD光源器件的输出功率增大。

Superlum 超辐射发光二极管是一种利用放大自发辐射的非相干光源，它兼具了激光器的大功率和LED的宽光谱特性，同时具有弱时间相干性和高光纤耦合效率，是一些非相干光学系统（如光学相干层析成像系统（OCT））的理想光源。OCT技术是上世纪90年代发展起来的一种具有高分辨率、非接触式、***损伤等诸多优点的一种成像技术，OCT系统的发展与所采用光源息息相关，其应用、升级换代强烈地依赖于中心光源的发展水平。目前OCT技术虽然已被大众所认可。

对于量子阱Superlum 宽带超辐射发光二极管,窄带隙有源区材料中载流子-维受限，类似梯状的电子态密度使得SLD工作电流明显降低，输出功率明显提高;另外，量子阱SLD有源区体积比双异质结SLD要小得多，并且在相同能量处有更小的态密度，使得在同样的注入电流下，费米能级能够更加深入到导带和价带中,从而使得增益谱明显展宽。通过调节器件的注入电流密度，同时引入量子阱中的基态和激发态能级跃迁，在0.8um的AlGaAs单量子阱SLD中可以获得68nm的光谱宽度!在1.55μm的InGaAsP单量子阱SLD中可以获得65nm的光谱宽度。当今有关Superlum 宽带超辐射发光二极管技术的许多方面运用已很纯熟。

Superlum 宽带超辐射发光二极管的研究与运用领域得到了飞速发展，并取得巨大的成就。由于超辐射发光二极管具有***普遍的运用，也就注定了它是一个热门的领域。各个领域相辅相成，其他领域发展的同时，对于超辐射发光二极管的性能要求也来越高。对于所使用的SLD光源具有宽的光谱和高输出率的特性，这是超辐射发光二极管的优势所在，同时让其所在的系统具有高灵敏度，低相干性，高稳定性以及低噪声等也是人们所研究和改进超辐射发光二极管的目标和方向。此外，SLD作为一种优良性能的发光二极管，其内部磁场也是研究的一个方向。Superlum 宽带超辐射发光二极管超辐射：由自发发射光子在增益介质中传播并经历了受激放大过程之后得到的。重庆Superlum 宽带超辐射发光光源现货

Superlum 宽带超辐射发光光源集成了高精度的驱动电路，具有稳定可靠的性能。重庆Superlum 宽带超辐射发光光源现货

基于运用需求，稳定的输出功率的光源器件要通过完善的电路驱动设计控制电流放和制冷器来使得电流和温度协调达到可行性的较大化输出功率。同时，这也使得Superlum 宽带超辐射发光二极管光源元件的驱动设计具有多样化,其中较普遍的方法大致为模拟控制法，而有部分采用的是数字化控制法，多样的设计方式展现出SLD宽广的拓展范围和发展空间。超辐射发光二极管的普遍运用，促成了这一领域的飞速发展。追求宽光谱，大功率的SLD是其主要目标。但是注入电流的增大会使得光谱宽度变窄。重庆Superlum 宽带超辐射发光光源现货